通过低压化学气相沉积制备非晶硅薄膜
多晶硅薄膜的生长温度是600-650℃,非晶硅薄膜的生长温度是在500-550℃。低温可以得到较低的应力和较小的晶粒。沉积后退火处理可以降低应力并再结晶,使较大晶粒和非晶薄膜本征压应力转变为张应力。压应力和张应力相互交织,整体压力可以保持较低的状态,这时是不需要低温退火的。小晶粒具有较低的导热系数并且较易被氢氟酸腐蚀。在600-650℃,多晶硅薄膜晶向主要是110,工艺温度越高晶向越趋向于100.
- 典型薄膜厚度:0.1 - 2 µm
- 批产能: 50
- 沉积速率: 1-3 nm/MIN. (10 - 30 Å/MIN.)
- 沉积温度: 500 - 550 °C
- 折射率 AT 550nm
- 均匀性指标: < 3% USING 1σ
- 工艺气体: SILANE SIH4
应用范围:LCD 薄膜晶体管,薄膜光伏电池
低压化学气相沉积工艺
- 超高温氧化炉
- 氮化硅谐振腔
- 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
- 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜,掺杂低温氧化硅薄膜,硼磷硅玻璃,硼硅玻璃,磷硅玻璃
- 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜(正硅酸乙酯)
- 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
- 化学计量氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiNxOy)
- 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
- 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜(SIPOS)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
- 外延硅
- 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料