通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜


低应力氮化一般采用DCS 和NH3 高流量比(典型 ~6)这种富硅沉积可以得到非常低的拉应力,该应力一般取决于气体混合比例和工艺温度。工艺压力通常是几托或者更低,增加压力和工艺温度会升高沉积速率但会降低均匀性.


应用范围:MEMS 结构,扩散缓冲层,钝化层,氧化掩膜,刻蚀掩膜,离子注入掩膜,隔离层,封装,机械保护,栅极介电层,光波导,化学机械研磨和蚀刻停止层

  • 典型薄膜厚度: 0.1-2 µm
  • 批产能: 50 (18" 恒温区) 或 100 (34" 恒温区)
  • 折射率在 550nm/ 2.0-2.3
  • 沉积速率: 3-4.5nm/MIN
  • 气体: DCS, NH3
  • 均匀性指标: < 5%
  • 应力: 50-300 MPa
  • 沉积温度: 800 – 840 ◦C 均匀分布



低压化学气相沉积工艺