外延硅

冷壁反应器常规用于生长外延硅，但是，冷壁工艺因受制于产能的局限性而变得价格昂贵。回顾过去的四分之一的世纪，通过升级改造，低压气相沉积也可以被用来沉积外延硅和同时原位激活有源区.

硅外延是在850-1150ºC，压力条件在50 Torr 和常压环境下生长的。一般来说，低压环境下的工作温度可以低一些。配备的涡轮分子泵可以在沉积之前去除氧残留和水蒸气，另外它与反应气体存在互锁关系以防止提前反应。根据该系统的高真空和高温要求，炉管两端需要真空密封并且配备水冷法兰。